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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STF6N65M2 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.560064 +100：￥5.576112 +200：￥4.592016 +300：￥4.100112 +500：￥3.77208	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 226 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	STF6N65M2 STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP 下载数据手册未分类	+1：￥4.946871 +10：￥4.127644 +30：￥3.728533 +100：￥3.329422 +500：￥3.087856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 226 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	STF6N65M2 STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP 下载数据手册未分类	+50：￥3.546086 +250：￥3.400735 +1000：￥3.342528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 226 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	STF6N65M2 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.564793 +10：￥10.362578 +100：￥8.081634 +500：￥6.676218 +1000：￥5.590174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 226 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STF6N65M2 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.983924 +10：￥17.9065 +100：￥13.965037 +500：￥11.536482 +1000：￥9.659801	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 226 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STF6N65M2 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP 下载数据手册未分类	+1：￥23.423555 +10：￥21.041498 +100：￥16.409722 +500：￥13.630656 +1000：￥10.666319	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 226 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
STF6N65M2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥7.737246	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
STF6N65M2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+2000：￥9.146639	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
STF6N65M2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥1.710656 +10：￥1.708036 +100：￥1.702797 +500：￥1.696248 +1000：￥1.692318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

STF6N65M2参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	MDmesh™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.35 欧姆 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	226 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	20W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）