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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STB20NM60T4 STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 下载数据手册	+1：￥25.238812 +10：￥24.634097 +30：￥24.230956 +100：￥23.827813	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： MDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 192W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STB20NM60T4 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥14.912137 +2000：￥14.041409 +5000：￥13.471259	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： MDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 192W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
STB20NM60T4 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥25.768122 +2000：￥24.263507 +5000：￥23.278291	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： MDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 192W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）
STB20NM60T4 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： MDmesh™ 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
STB20NM60T4 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： MDmesh™ 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

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	STB20NM60T4 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 下载数据手册晶体管	+1：￥63.37568 +10：￥53.235572 +25：￥50.225228 +100：￥43.095463 +250：￥40.718876	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： MDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 192W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

STB20NM60T4参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	MDmesh™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	290 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	54 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	192W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	150°C（TJ）