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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
SPI11N60C3XKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO262-3-1

封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

SPI11N60C3XKSA1_未分类
SPI11N60C3XKSA1
授权代理品牌

SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN

未分类

+222:

¥15.980746

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 125W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA

Supplier Device Package: PG-TO262-3-1

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
SPI11N60C3XKSA1_未分类
SPI11N60C3XKSA1
授权代理品牌

MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO262-3-1

封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

SPI11N60C3XKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO262-3-1
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)