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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP11NM60FD ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.719377 +10：￥18.067127 +30：￥16.486386 +100：￥14.895036 +500：￥14.152406	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： FDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP11NM60FD ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.693998 +10：￥34.77397 +100：￥28.491078 +500：￥24.253832 +1000：￥20.455094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： FDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP11NM60FD ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.863099 +10：￥60.089304 +100：￥49.232488 +500：￥41.910541 +1000：￥35.346334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： FDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP11NM60FD ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 下载数据手册晶体管	+1：￥85.725338 +10：￥77.072689 +100：￥63.132306 +250：￥61.369731 +500：￥53.838719	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： FDmesh™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP11NM60FD 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥31.652243	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

STP11NM60FD参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	FDmesh™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	450 毫欧 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	40 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	160W（Tc）
工作温度:	-
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-