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自营 国内现货
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STD60N3LH5_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥3.558578

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: STripFET™ V

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 48A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 24A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.8 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 60W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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STD60N3LH5_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: STripFET™ V

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 48A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 24A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.8 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 60W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

STD60N3LH5_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: STripFET™ V

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

STD60N3LH5_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: STripFET™ V

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

Mouser
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STD60N3LH5_未分类
STD60N3LH5
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 48A DPAK

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: STripFET™ V

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 48A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 24A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.8 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 60W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

STD60N3LH5参数规格

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: STripFET™ V
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 48A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 24A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.8 nC 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1350 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 60W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)