SI5471DC-T1-GE3厂家价格_数据手册

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	SI5471DC-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.170435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2945 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），6.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 1206-8 ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
SI5471DC-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.750504	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2945 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），6.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 1206-8 ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
SI5471DC-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.706823 +10：￥8.534902 +100：￥6.54382 +500：￥5.173026 +1000：￥4.138421	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： 1206-8 ChipFET™
SI5471DC-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.706823 +10：￥8.534902 +100：￥6.54382 +500：￥5.173026 +1000：￥4.138421	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： 1206-8 ChipFET™

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SI5471DC-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 下载数据手册未分类	+1：￥11.156488 +10：￥9.809547 +100：￥7.523827 +500：￥5.945592 +1000：￥4.761916	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2945 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），6.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 1206-8 ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SI5471DC-T1-GE3 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥3.054843 +9000：￥2.909374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

SI5471DC-T1-GE3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 9.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	96 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2945 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），6.3W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	1206-8 ChipFET™
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
温度:	-55°C # 150°C（TJ）