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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
SPA11N60C3IN_晶体管-FET,MOSFET-单个
SPA11N60C3IN
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 33W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3-31

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
SPA11N60C3IN_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 33W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3-31

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

SPA11N60C3IN参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™
零件状态: Digi-Key 停止提供
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 33W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-31
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)