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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
STP23NM50N_未分类
STP23NM50N

MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3

未分类

+1:

¥6.921418

+10:

¥5.923641

+30:

¥5.37749

+100:

¥4.757818

+500:

¥4.484743

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: MDmesh™ II

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 8.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1330 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220

封装/外壳: TO-220-3

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
STP23NM50N_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥34.785719

+10:

¥31.250477

+100:

¥25.60534

+500:

¥21.797129

+1000:

¥18.383153

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: MDmesh™ II

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 8.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1330 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220

封装/外壳: TO-220-3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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STP23NM50N_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥62.25535

+10:

¥55.939262

+100:

¥45.830125

+500:

¥39.01441

+1000:

¥37.390564

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: MDmesh™ II

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 8.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1330 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220

封装/外壳: TO-220-3

温度: 150°C(TJ)

Mouser
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STP23NM50N_未分类
STP23NM50N
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3

未分类

+1:

¥83.237981

+10:

¥43.974783

+100:

¥42.090149

+250:

¥40.99078

+500:

¥37.06446

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: MDmesh™ II

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 8.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1330 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220

封装/外壳: TO-220-3

温度: 150°C(TJ)

艾睿
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STP23NM50N_未分类
STP23NM50N
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

未分类

+1000:

¥35.488666

+2000:

¥33.933498

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

STP23NM50N参数规格

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: MDmesh™ II
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 8.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1330 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
温度: 150°C(TJ)