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	SI4626ADY-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 125 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5370 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	SI4626ADY-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.764678 +5000：￥6.510367	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 125 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5370 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SI4626ADY-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥11.689342 +5000：￥11.249893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 125 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5370 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	SI4626ADY-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC 下载数据手册晶体管	+2500：￥15.631611	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 125 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5370 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

SI4626ADY-T1-GE3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	125 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5370 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），6W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）