锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 SPP35N103 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
SPP35N10_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+442:

¥4.862333

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: SIPMOS®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3-1

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
SPP35N10_晶体管-FET,MOSFET-单个
+442:

¥8.402095

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列: SIPMOS®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 44 毫欧 26.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 83µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 65 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1570 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3-1

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

SPP35N10_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: SIPMOS®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3-1

SPP35N10参数规格

属性 参数值
系列: SIPMOS®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: PG-TO220-3-1