| | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB 二极管整流器 | | | 品牌: Micro Commercial Co 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 3 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: SMC(DO-214AB) 工作温度 - 结: -55°C # 150°C 温度: |
| S3D | DIODE GEN PURP 200V 3A SMC | | | 品牌: SMC Diode Solutions 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 3 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 2.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容: 60pF 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: SMC(DO-214AB) 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C 温度: |
| S3D | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | | | 品牌: Taiwan Semiconductor Corporation 包装: 卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): - 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容: 60pF 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMC) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 温度: |
| | DIODE GEN PURP 200V 3A SMC 二极管整流器 | | | 品牌: onsemi 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 3 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 2.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容: 60pF 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: SMC(DO-214AB) 工作温度 - 结: -55°C # 150°C 温度: |
| S3D | | | | 品牌: DComponents 包装: Tape & Reel (TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 二极管类型: Standard 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 3 A 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr): 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: DO-214AB, SMC 供应商器件封装: SMC (DO-214AB) 工作温度 - 结: -50°C ~ 150°C 温度: |
| S3D | RECTIFIER DIODE, 3A, 200V, DO-21 二极管整流器 | | | 品牌: onsemi 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 3 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 2.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容: 60pF 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: SMC(DO-214AB) 工作温度 - 结: -55°C # 150°C 温度: |