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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
S1GHM3/61T_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

二极管整流器

+18000:

¥0.43475

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.8 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
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S1GHM3/61T_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

二极管整流器

+18000:

¥0.751247

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.8 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Mouser
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S1GHM3/61T_未分类
S1GHM3/61T
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

未分类

+1:

¥5.850354

+10:

¥4.435384

+100:

¥2.517013

+500:

¥1.659867

+1000:

¥1.278914

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.8 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

S1GHM3/61T参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 1.8 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V
不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
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