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S1GHE3_A/H_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

二极管整流器

+20:

¥0.460792

+100:

¥0.418902

+500:

¥0.390975

+1000:

¥0.363048

+5000:

¥0.329544

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.8 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

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S1GHE3_A/H_二极管整流器
S1GHE3_A/H
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

二极管整流器

+20:

¥1.145664

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¥0.973872

+200:

¥0.801936

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¥0.6588

+1800:

¥0.572832

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.8 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

自营 现货库存
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S1GHE3_A/H_未分类
S1GHE3_A/H
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DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

未分类

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¥0.482118

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¥0.3947

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¥0.350991

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.8 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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S1GHE3_A/H_二极管整流器
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DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

二极管整流器

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.8 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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S1GHE3_A/H_null
S1GHE3_A/H
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DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.8 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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自营 国内现货
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S1GHE3_A/H_二极管整流器
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DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

二极管整流器

+1800:

¥0.598907

+3600:

¥0.520791

+5400:

¥0.468692

+12600:

¥0.416593

+45000:

¥0.390577

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.8 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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Digi-Key
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DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

二极管整流器

+1800:

¥1.034909

+3600:

¥0.899926

+5400:

¥0.809898

+12600:

¥0.719873

+45000:

¥0.674915

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.8 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

S1GHE3_A/H_二极管整流器
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DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

二极管整流器

+1:

¥4.853844

+10:

¥3.594156

+100:

¥2.038614

+500:

¥1.349831

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: DO-214AC, SMA

供应商器件封装: DO-214AC (SMA)

Mouser
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S1GHE3_A/H_未分类
S1GHE3_A/H
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DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

未分类

+1:

¥5.864691

+10:

¥4.136985

+100:

¥1.870361

+1000:

¥1.109537

+1800:

¥0.919331

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.8 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

艾睿
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S1GHE3_A/H
授权代理品牌

Diode Switching 400V 1A Automotive 2-Pin SMA T/R

未分类

+1800:

¥0.730711

库存: 0

货期:7~10 天

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S1GHE3_A/H参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 1.8 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V
不同 Vr、F 时电容: 12pF 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: