搜索 S1MHE3_A/H 共 14 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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S1MHE3_A/H 授权代理品牌 | 通用二极管 S1MHE3_A/H SMA(DO-214AC) | +20: ¥1.106784 +100: ¥0.869472 +200: ¥0.617616 +500: ¥0.512784 +1800: ¥0.361584 | 暂无参数 |
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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S1MHE3_A/H 授权代理品牌 | +1800: ¥0.279682 | ||||
S1MHE3_A/H 授权代理品牌 | +1: ¥0.60868 +100: ¥0.380743 +900: ¥0.331081 +1800: ¥0.287786 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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S1MHE3_A/H 授权代理品牌 | 1+: |
自营 国内现货
Digi-Key
S1MHE3_A/H参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q100 |
零件状态: | 在售 |
二极管类型: | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 1000 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 1A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.1 V 1 A |
速度: | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr): | 1.8 µs |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 5 µA 1000 V |
不同 Vr、F 时电容: | 12pF 4V,1MHz |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装: | DO-214AC(SMA) |
工作温度 - 结: | -55°C # 150°C |
温度: |