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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	S1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+20：￥0.829794 +100：￥0.750515 +500：￥0.697662 +1000：￥0.644809 +5000：￥0.581381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.8 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	S1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	通用二极管 S1MHE3_A/H SMA(DO-214AC) 下载数据手册未分类	+20：￥1.106784 +100：￥0.869472 +200：￥0.617616 +500：￥0.512784 +1800：￥0.361584	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	S1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+5：￥0.373744 +50：￥0.325364 +150：￥0.301173 +500：￥0.28303 +1800：￥0.268515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.8 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	S1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥0.279682	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.8 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	S1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.60868 +100：￥0.380743 +900：￥0.331081 +1800：￥0.287786	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.8 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	S1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.8 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	S1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥0.633426 +3600：￥0.532941 +5400：￥0.509496 +9000：￥0.440606 +45000：￥0.432383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.8 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	S1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥1.094558 +3600：￥0.92092 +5400：￥0.880409 +9000：￥0.761368 +45000：￥0.747156	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.8 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	S1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.110679 +10：￥3.577475 +100：￥1.808681 +500：￥1.475366	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： Automotive, AEC-Q100 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)
	S1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.110679 +10：￥3.577475 +100：￥1.808681 +500：￥1.475366	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： Automotive, AEC-Q100 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)

S1MHE3_A/H参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q100
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1000 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.1 V 1 A
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	1.8 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容:	12pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AC，SMA
供应商器件封装:	DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: