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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN2423(TE85L,F)_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

双极晶体管

+1:

¥3.326048

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 100mA,1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度:

Digi-Key
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RN2423(TE85L,F)_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

双极晶体管

+3000:

¥1.270404

+6000:

¥1.214867

+15000:

¥1.076024

+30000:

¥1.062141

+75000:

¥0.902472

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 100mA,1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度:

RN2423(TE85L,F)_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

双极晶体管

+1:

¥5.667017

+10:

¥4.236095

+25:

¥3.81957

+100:

¥2.013208

+250:

¥1.992524

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

RN2423(TE85L,F)_双极晶体管
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货期:7~10 天

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晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

Mouser
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RN2423(TE85L,F)_未分类
RN2423(TE85L,F)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

未分类

+1:

¥5.964217

+10:

¥4.501564

+100:

¥2.811703

+500:

¥1.931271

+1000:

¥1.476854

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 100mA,1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度:

RN2423(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 100mA,1V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 200 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: S-Mini
温度: