RSQ035N03HZGTR厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ035N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 30V 3.5A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.206999 +200：￥1.6828 +500：￥1.628163 +1000：￥1.595381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ035N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 30V 3.5A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.495062	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RSQ035N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 30V 3.5A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.657318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）
RSQ035N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 30V 3.5A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.417637 +10：￥8.325737 +100：￥6.380791 +500：￥5.044578 +1000：￥4.035663	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
RSQ035N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 30V 3.5A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.417637 +10：￥8.325737 +100：￥6.380791 +500：￥5.044578 +1000：￥4.035663	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ035N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 30V 3.5A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管	+1：￥10.770694 +10：￥9.563073 +100：￥6.511377 +500：￥5.450626 +1000：￥4.634664	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RSQ035N03HZGTR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+184：￥4.273481 +250：￥4.102234 +500：￥3.954077 +1000：￥3.82516 +2500：￥3.711636	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	RSQ035N03HZGTR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.5A, 150度 C, 1.25W 下载数据手册未分类	+1：￥6.231096 +10：￥5.538751 +100：￥3.769428 +500：￥3.15401 +1000：￥2.436026	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ035N03HZGTR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 30V, 3.5A, 150DEG C, 1.25W 下载数据手册未分类	+1：￥6.661831 +10：￥5.916291 +100：￥4.02837 +500：￥3.379012 +1000：￥2.609422	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RSQ035N03HZGTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	62 毫欧 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.4 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	290 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	950mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	150°C（TJ）