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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
R6006ANDTL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥4.815343

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

Digi-Key
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R6006ANDTL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥11.779604

库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

R6006ANDTL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥30.840067

+10:

¥27.700989

+100:

¥22.262674

+500:

¥18.290914

+1000:

¥15.155277

库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

R6006ANDTL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥30.840067

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¥27.700989

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¥22.262674

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¥18.290914

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

R6006ANDTL_未分类
R6006ANDTL
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 6A CPT

未分类

+2500:

¥16.237296

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 40W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA

Supplier Device Package: CPT3

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V

Mouser
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R6006ANDTL_晶体管
R6006ANDTL
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 6A CPT

晶体管

+2500:

¥19.21206

库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

R6006ANDTL参数规格

属性 参数值
系列: *
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -