RD3L150SNFRATL厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RD3L150SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RD3L150SNFRA IS A POWER MOSFET F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.849801 +200：￥4.041521 +500：￥3.23312 +1000：￥2.694307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

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	RD3L150SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RD3L150SNFRA IS A POWER MOSFET F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.102092 +5000：￥3.896993 +12500：￥3.750478	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RD3L150SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RD3L150SNFRA IS A POWER MOSFET F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥10.034804 +5000：￥9.533077 +12500：￥9.174662	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）
RD3L150SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RD3L150SNFRA IS A POWER MOSFET F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.653206 +10：￥21.14875 +100：￥16.486285 +500：￥13.618682 +1000：￥10.751635	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
RD3L150SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RD3L150SNFRA IS A POWER MOSFET F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.653206 +10：￥21.14875 +100：￥16.486285 +500：￥13.618682 +1000：￥10.751635	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

Mouser

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	RD3L150SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RD3L150SNFRA IS A POWER MOSFET F 下载数据手册未分类	+1：￥28.054669 +10：￥24.629389 +100：￥19.246808 +500：￥16.131435 +1000：￥12.738776	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

RD3L150SNFRATL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	930 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	20W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	150°C（TJ）