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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS3J-E3/57T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB 下载数据手册二极管整流器	+5：￥4.753243 +50：￥3.168869 +150：￥2.640704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 2.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 250 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 34pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS3J-E3/57T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB 下载数据手册二极管整流器	+5：￥2.434705 +50：￥1.982426 +150：￥1.788575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 2.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 250 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 34pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS3J-E3/57T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 2.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 250 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 34pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS3J-E3/57T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB 下载数据手册二极管整流器	+850：￥1.738797 +1700：￥1.413302 +2550：￥1.263374 +5950：￥1.199128 +21250：￥1.113506	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 2.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 250 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 34pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS3J-E3/57T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB 下载数据手册二极管整流器	+850：￥2.776857	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 2.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 250 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 34pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	RS3J-E3/57T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥6.425427 +10：￥4.880264 +100：￥4.826721	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AB, SMC 供应商器件封装： DO-214AB (SMC)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS3J-E3/57T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB 下载数据手册未分类	+1：￥6.964815 +10：￥5.289944 +100：￥4.692959 +500：￥2.86884 +850：￥2.736178	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 2.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 250 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 34pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS3J-E3/57T 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 600V 3A 250ns 2-Pin SMC T/R 下载数据手册未分类	+1700：￥2.360759 +4250：￥2.299197 +9350：￥2.277838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS3J-E3/57T VISHAY(威世) 授权代理品牌	Rectifiers 3.0 Amp 600V 250ns 下载数据手册未分类	+850：￥1.671585 +1700：￥1.534729 +2550：￥1.505404 +5100：￥1.476077 +6800：￥1.427202	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS3J-E3/57T VISHAY(威世) 授权代理品牌	Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V 下载数据手册未分类	+1：￥5.068847 +10：￥4.236103 +100：￥3.487847 +500：￥2.956826 +1000：￥2.908546	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RS3J-E3/57T参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	600 V
电流 - 平均整流 (Io):	3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.3 V 2.5 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	250 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容:	34pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AB，SMC
供应商器件封装:	DO-214AB（SMC）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: