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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RFN1LAM6STR_二极管整流器
RFN1LAM6STR
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

二极管整流器

+20:

¥1.959353

+100:

¥1.32495

+800:

¥0.974655

+3000:

¥0.706398

+6000:

¥0.671066

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: PMDTM

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RFN1LAM6STR_未分类
RFN1LAM6STR
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

未分类

+1:

¥1.225164

+10:

¥1.009015

+30:

¥0.916379

+100:

¥0.800847

+500:

¥0.749383

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: PMDTM

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RFN1LAM6STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

二极管整流器

+1:

¥1.71941

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: PMDTM

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

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RFN1LAM6STR_null
RFN1LAM6STR
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

+1:

¥3.47328

+100:

¥1.969344

+1500:

¥1.248624

+3000:

¥0.93024

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: PMDTM

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

自营 国内现货
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RFN1LAM6STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

二极管整流器

+3000:

¥0.531503

+6000:

¥0.501991

+15000:

¥0.457694

+30000:

¥0.430037

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: PMDTM

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

Digi-Key
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RFN1LAM6STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

二极管整流器

+3000:

¥1.300198

+6000:

¥1.228003

+15000:

¥1.119641

+30000:

¥1.051985

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: PMDTM

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

RFN1LAM6STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

二极管整流器

+1:

¥5.913109

+10:

¥4.400454

+100:

¥2.744783

+500:

¥1.878169

+1000:

¥1.444724

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: PMDTM

RFN1LAM6STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

二极管整流器

+1:

¥5.913109

+10:

¥4.400454

+100:

¥2.744783

+500:

¥1.878169

+1000:

¥1.444724

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: PMDTM

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RFN1LAM6STR_未分类
RFN1LAM6STR
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

未分类

+1:

¥6.83001

+10:

¥5.203818

+100:

¥3.252385

+500:

¥2.227885

+1000:

¥1.723766

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: PMDTM

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

RFN1LAM6STR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 800mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V 800 mA
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-128
供应商器件封装: PMDTM
工作温度 - 结: 150°C(最大)
温度: