品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 500mA，5V

功率 - 最大值： 535 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 500mA，5V

功率 - 最大值： 535 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 500mA，5V

功率 - 最大值： 535 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： NST489

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 30 V

集电极—基极电压 VCBO： 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—射极饱和电压： 50 mV

最大直流电集电极电流： 2 A

Pd-功率耗散： 1.18 W

增益带宽产品fT： 300 MHz

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min： 300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A, 5 V

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 17.350 mg

温度： - 55 C~+ 150 C