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NVMFD5C650NLT1G_射频晶体管
NVMFD5C650NLT1G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

射频晶体管

+1:

¥52.35912

+10:

¥43.6326

+30:

¥34.90608

+100:

¥29.0884

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Ta),111A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 98µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2546pF 25V

功率 - 最大值: 3.5W(Ta),125W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 现货库存
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NVMFD5C650NLT1G_未分类
NVMFD5C650NLT1G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Ta),111A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 98µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2546pF 25V

功率 - 最大值: 3.5W(Ta),125W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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NVMFD5C650NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

射频晶体管

+1500:

¥35.697394

+3000:

¥33.91253

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Ta),111A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 98µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2546pF 25V

功率 - 最大值: 3.5W(Ta),125W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVMFD5C650NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

射频晶体管

+1:

¥67.594044

+10:

¥60.685335

+100:

¥49.720984

+500:

¥42.326902

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

射频晶体管

+1:

¥67.594044

+10:

¥60.685335

+100:

¥49.720984

+500:

¥42.326902

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFD5C650NLT1G_未分类
NVMFD5C650NLT1G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

未分类

+1:

¥69.710599

+10:

¥62.69746

+25:

¥59.331154

+100:

¥51.336175

+500:

¥43.761986

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 1500

艾睿
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NVMFD5C650NLT1G_未分类
NVMFD5C650NLT1G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

未分类

+1500:

¥25.743464

库存: 0

货期:7~10 天

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NVMFD5C650NLT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Ta),111A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 98µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2546pF 25V
功率 - 最大值: 3.5W(Ta),125W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
温度: -55°C # 175°C(TJ)