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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.164262 +100：￥0.787347 +800：￥0.577896 +3000：￥0.418781 +6000：￥0.397848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.545468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册未分类	+1：￥3.955258 +10：￥3.390221 +30：￥2.966414 +100：￥2.498039 +500：￥2.373131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.495497 +18000：￥0.439173	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥1.766508 +500：￥1.170637 +1000：￥0.89393 +3000：￥0.691707 +9000：￥0.617223	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.424386 +9000：￥0.420681 +15000：￥0.416977 +60000：￥0.409452 +90000：￥0.402043	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.470459 +9000：￥0.466407 +15000：￥0.462239 +45000：￥0.454021 +75000：￥0.445686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTA4001NT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.613541 +200：￥0.589 +800：￥0.564458 +3000：￥0.549756 +9000：￥0.530077	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.407891 +6000：￥0.367149 +15000：￥0.326348 +30000：￥0.305948 +75000：￥0.27129	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTA4001NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	238mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3 欧姆 10mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	20 pF 5 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300mW（Tj）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-75，SOT-416
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册未分类	+1：￥3.955258 +10：￥3.390221 +30：￥2.966414 +100：￥2.498039 +500：￥2.373131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.495497 +18000：￥0.439173	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥1.766508 +500：￥1.170637 +1000：￥0.89393 +3000：￥0.691707 +9000：￥0.617223	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.424386 +9000：￥0.420681 +15000：￥0.416977 +60000：￥0.409452 +90000：￥0.402043	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.470459 +9000：￥0.466407 +15000：￥0.462239 +45000：￥0.454021 +75000：￥0.445686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 238mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 10mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4001NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTA4001NT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.613541 +200：￥0.589 +800：￥0.564458 +3000：￥0.549756 +9000：￥0.530077	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数