 | NTRV4101PT1G | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NTRV4101PT1G | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NTRV4101PT1G | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NTRV4101PT1G | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NTRV4101PT1G | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NTRV4101PT1G | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NTRV4101PT1G | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
