品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2A, 1V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2A, 1V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2A, 1V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C (TJ)