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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTXV1N6625US_二极管整流器
JANTXV1N6625US
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

二极管整流器

+1:

¥391.535011

+200:

¥156.227179

+500:

¥151.003944

+1000:

¥148.425108

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/585

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1100 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 60 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 1100 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 150°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTXV1N6625US_二极管整流器

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

二极管整流器

+100:

¥223.485545

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/585

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1100 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 60 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 1100 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 150°C

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTXV1N6625US_二极管与整流器
JANTXV1N6625US
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

二极管与整流器

+1:

¥306.145211

+10:

¥305.986914

+25:

¥305.670321

+100:

¥293.798092

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/585

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1100 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 60 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 1100 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 150°C

温度:

JANTXV1N6625US参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/585
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1100 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 60 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 1100 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,A
供应商器件封装: D-5A
工作温度 - 结: -65°C # 150°C
温度: