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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.57769 +300：￥5.80074 +1000：￥4.25799 +4000：￥3.0855 +8000：￥2.931225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥3.376526 +10：￥2.994072 +30：￥2.797381 +100：￥2.611618 +500：￥2.491418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.854269	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8SO 下载数据手册未分类	+4000：￥5.335107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9328TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9328TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.657926 +4000：￥1.600696 +12000：￥1.543568 +16000：￥1.500672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9328TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF9328TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.960396 +12000：￥0.926142 +28000：￥0.900424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥9.077153 +10：￥8.117678 +100：￥6.627406 +500：￥5.640668 +1000：￥4.737389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8SO 下载数据手册未分类	+5：￥9.377466 +10：￥7.010951 +50：￥5.970139 +100：￥5.115906 +200：￥4.850787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF9328TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.9 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	52 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1680 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8SO 下载数据手册未分类	+4000：￥5.335107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9328TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9328TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.657926 +4000：￥1.600696 +12000：￥1.543568 +16000：￥1.500672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9328TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF9328TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.960396 +12000：￥0.926142 +28000：￥0.900424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥9.077153 +10：￥8.117678 +100：￥6.627406 +500：￥5.640668 +1000：￥4.737389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8SO 下载数据手册未分类	+5：￥9.377466 +10：￥7.010951 +50：￥5.970139 +100：￥5.115906 +200：￥4.850787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）