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	IRFH7085TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥19.00547 +300：￥12.85262 +1000：￥9.43437 +4000：￥6.8365 +8000：￥6.494675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6460 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFH7085TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.981287 +10：￥13.178288 +30：￥12.041852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6460 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH7085TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.681192	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6460 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH7085TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥19.145848 +10：￥16.471202 +100：￥13.230567 +500：￥10.674234 +1000：￥8.911134	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6460 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFH7085TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥9.793746 +8000：￥9.538235 +12000：￥9.367969 +16000：￥8.46212 +20000：￥8.010871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6460 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFH7085TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.993984	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6460 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IRFH7085TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥12.216607	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6460 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7085TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.73901 +10：￥23.983669 +100：￥19.275161 +500：￥15.836281 +1000：￥13.121524	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6)
IRFH7085TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.73901 +10：￥23.983669 +100：￥19.275161 +500：￥15.836281 +1000：￥13.121524	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6)

Mouser

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	IRFH7085TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥30.016234 +10：￥27.070716 +100：￥21.74073 +500：￥17.813372 +1000：￥14.867854	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6460 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH7085TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.2 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	165 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6460 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	156W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）