IPI075N15N3GXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.07144 +200：￥31.7262 +500：￥25.38096 +1000：￥21.1508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.054063 +200：￥15.112414 +500：￥14.587905 +1000：￥14.325651	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥80.439711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.015024 +50：￥30.93284 +100：￥26.513279 +500：￥23.567645 +1000：￥20.179763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥95.441088 +50：￥75.669924 +100：￥64.858505 +500：￥57.652703 +1000：￥49.365046	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 下载数据手册	+1：￥109.103502 +10：￥102.897016 +25：￥77.90774 +100：￥68.924667 +500：￥64.351467	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPI075N15N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 下载数据手册	+500：￥37.555293 +1000：￥34.614837	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPI075N15N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥46.260339 +1000：￥39.852741	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPI075N15N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 下载数据手册未分类	+3：￥46.236906 +10：￥40.380689 +25：￥39.03136 +100：￥33.711478 +250：￥32.988185	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPI075N15N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	93 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5470 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO262-3
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）