IRFPG30PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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搜索 IRFPG30PBF 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPG30PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRFPG30PBF TO-247AC-3 下载数据手册未分类	+1：￥53.691814 +10：￥45.638054 +30：￥37.584294 +100：￥33.557414 +500：￥30.872787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFPG30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.087181 +10：￥22.572671 +25：￥18.05804 +100：￥15.048407	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPG30PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	N沟道 1kV 3.1A 下载数据手册未分类	+1：￥25.133464 +10：￥22.182146 +30：￥20.42816 +100：￥18.653168 +500：￥17.844444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 1kV 连续漏极电流(Id)： 3.1A 功率(Pd)： 125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5Ω@10V,1.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250μA

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPG30PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥15.210305	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPG30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.159256 +10：￥18.120552 +100：￥14.848944 +500：￥12.640651 +1000：￥10.660716	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPG30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.314881 +10：￥44.327671 +100：￥36.324451 +500：￥30.922381 +1000：￥26.078935	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPG30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥57.648058 +10：￥51.755854 +100：￥42.360175 +500：￥41.404683 +2500：￥34.716234	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPG30PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 下载数据手册未分类	+1：￥38.963746 +10：￥36.165244 +25：￥35.801978 +50：￥35.43871 +100：￥31.267868	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFPG30PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5 欧姆 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	80 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	980 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）