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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZA60R120P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.856248	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 8.2A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 410µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZA60R120P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.95301 +10：￥33.207773 +100：￥27.20818 +500：￥23.16177 +1000：￥19.533994	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 8.2A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 410µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZA60R120P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥90.396854 +10：￥81.23501 +100：￥66.558416 +500：￥56.659826 +1000：￥47.785325	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 8.2A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 410µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

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	IPZA60R120P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 8.2A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 410µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C (TJ)

IPZA60R120P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	26A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	120mOhm 8.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1544 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	95W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	PG-TO247-4
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 150°C (TJ)