锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 IRFPF30PBF3 条相关记录
Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFPF30PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+500:

¥35.701218

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: Tube

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.7Ohm 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFPF30PBF_未分类
IRFPF30PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3

未分类

+1:

¥82.366

+10:

¥69.250396

+25:

¥54.735793

+100:

¥49.314676

+250:

¥47.216178

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: Tube

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.7Ohm 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFPF30PBF_未分类
IRFPF30PBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

未分类

+500:

¥29.939813

+1000:

¥27.087803

+2500:

¥26.53499

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IRFPF30PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: Tube
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.7Ohm 2.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-247AC
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C (TJ)