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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRFSL9N60APBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFSL9N60APBF
Vishay(威世)
授权代理品牌
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￥13.254779

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￥5.135817

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￥4.950053

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￥4.862635

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 170W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： I2PAK

封装/外壳： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRFSL9N60APBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFSL9N60APBF
Vishay(威世)
授权代理品牌
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￥16.061575

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￥12.721936

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￥10.904933

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￥9.693248

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￥8.299804

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 170W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： I2PAK

封装/外壳： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRFSL9N60APBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFSL9N60APBF
Vishay(威世)
授权代理品牌
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￥39.290867

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￥31.121225

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￥26.676357

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￥23.712254

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￥20.30352

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 170W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： I2PAK

封装/外壳： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
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IRFSL9N60APBF_晶体管
IRFSL9N60APBF
Vishay(威世)
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MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

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晶体管
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￥44.915364

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￥41.322135

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￥35.605634

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￥30.542448

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￥29.725805

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 170W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： I2PAK

封装/外壳： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿
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IRFSL9N60APBF_未分类
IRFSL9N60APBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262

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未分类
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￥22.166485

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

IRFSL9N60APBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: Tube
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.2A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 750mOhm 5.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 49 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 170W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: I2PAK
封装/外壳: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
温度: -55°C # 150°C (TJ)