IRFB9N65APBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IRFB9N65APBF 共 13 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N65APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRFB9N65APBF TO-220 下载数据手册未分类	+10：￥47.514038 +100：￥32.131792 +500：￥23.586046 +1000：￥17.091371 +2000：￥16.236748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N65APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.664396 +10：￥14.336578 +50：￥14.12896	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 930 毫欧 5.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1417 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N65APBF 授权代理品牌	IRFB9N65APBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥5.172964 +2054：￥4.996194 +2204：￥4.775087 +3004：￥4.642539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N65APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.949861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 930 毫欧 5.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1417 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N65APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥48.802646	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 930 毫欧 5.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1417 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N65APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥44.93964 +10：￥29.51755 +100：￥26.366801 +250：￥25.537656 +500：￥24.542682	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 930 毫欧 5.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1417 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N65APBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+1000：￥22.829676 +2000：￥22.705854 +2500：￥22.566554 +3000：￥22.442732 +4000：￥22.303432	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N65APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET 650V N-CH HEXFET MOSFET 下载数据手册未分类	+50：￥18.084387 +100：￥16.129317 +250：￥15.738304 +500：￥14.858524 +1000：￥12.903454	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFB9N65APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET 下载数据手册未分类	+50：￥14.747587 +100：￥13.242734 +500：￥12.941761 +1000：￥12.741114	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N65APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 650V, 8.5A, TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥27.928321 +10：￥18.351464 +100：￥15.869503 +500：￥15.255282 +1000：￥15.155001	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFB9N65APBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	930 毫欧 5.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	48 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1417 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	167W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）