IRF6674TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6674TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.071014 +10：￥20.460374 +30：￥16.849734 +100：￥15.044414 +500：￥13.840827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 13.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6674TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥12.522651 +10：￥10.894488 +30：￥9.878252 +100：￥8.829234 +500：￥8.359362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 13.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6674TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥8.561579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 13.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6674TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥20.94389	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 13.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6674TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.575569 +10：￥26.474901 +100：￥21.412808 +500：￥20.94389	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MZ 供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ
IRF6674TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.575569 +10：￥26.474901 +100：￥21.412808 +500：￥20.94389	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MZ 供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6674TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥51.121851 +10：￥42.95542 +25：￥40.505492 +100：￥34.788991 +250：￥32.829048	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 13.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6674TRPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥27.671119 +10：￥19.600377 +50：￥16.429728 +100：￥15.565006 +200：￥15.468926	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF6674TRPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+4800：￥13.451238 +9600：￥13.259079	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6674TRPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 67 A, Micro8, 通孔安装, IRF6674TRPBF 下载数据手册未分类	+2：￥25.61916 +50：￥24.849869 +100：￥23.603498 +500：￥21.951611 +2000：￥19.977697	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF6674TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13.4A（Ta），67A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 13.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1350 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），89W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MZ
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MZ
温度:	-40°C # 150°C（TJ）