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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIB5N65APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥40.256063 +200：￥16.063087 +500：￥15.527651 +1000：￥15.265396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 930 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1417 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIB5N65APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.582069 +50：￥16.432682 +100：￥14.965523	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 930 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1417 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIB5N65APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥77.258109 +50：￥40.198695 +100：￥36.609635	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 930 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1417 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIB5N65APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 930 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1417 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIB5N65APBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP 下载数据手册未分类	+0：￥31.254214 +1：￥5.946552	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIB5N65APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET 650V N-CH HEXFET MOSFET 下载数据手册未分类	+50：￥20.584931 +500：￥19.604696 +2000：￥19.212602	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFIB5N65APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFETs TO220 650V 5.1A N-CH MOSFET 下载数据手册未分类	+50：￥20.136867	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIB5N65APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP 下载数据手册未分类	+3：￥19.459291	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIB5N65APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥26.998557	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFIB5N65APBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	930 毫欧 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	48 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1417 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	60W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3 全封装，隔离接片
温度:	-55°C # 150°C（TJ）