IPN60R3K4CEATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.74119	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.836538 +200：￥0.710732 +500：￥0.685735 +1000：￥0.673447	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.035276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.852388 +50：￥2.3303 +1500：￥2.132461 +3000：￥1.962869 +18000：￥1.950367	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥4.953978 +100：￥3.698795 +500：￥2.856526 +1000：￥2.256604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.528426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.077308 +6000：￥1.00781 +15000：￥0.938312 +30000：￥0.889667	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.635381 +6000：￥2.46537 +15000：￥2.295358 +30000：￥2.176362	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.420622 +10：￥6.373785 +100：￥4.761125 +500：￥3.740523 +1000：￥2.890466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-223-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.420622 +10：￥6.373785 +100：￥4.761125 +500：￥3.740523 +1000：￥2.890466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-223-3 供应商器件封装： PG-SOT223

IPN60R3K4CEATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.4 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	93 pF 100 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	5W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.852388 +50：￥2.3303 +1500：￥2.132461 +3000：￥1.962869 +18000：￥1.950367	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥4.953978 +100：￥3.698795 +500：￥2.856526 +1000：￥2.256604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.528426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）