搜索 IPP65R190E6XKSA1 共 3 条相关记录
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +1： ￥46.703701 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +1： ￥42.644306 +10： ￥38.323205 +25： ￥36.229242 +100： ￥28.985377 +250： ￥27.375094 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| IPP65R190E6XKSA1 授权代理品牌 | +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ |
IPP65R190E6XKSA1参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | Tube |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolMOS™ |
| 零件状态: | Not For New Designs |
| FET 类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20.2A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 190mOhm 7.3A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V 730µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 73 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1620 pF 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 151W (Tc) |
| 工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 供应商器件封装: | PG-TO220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C (TJ) |