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IPP072N10N3GXKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPP072N10N3GXKSA1
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 90µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4910 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IPP072N10N3GXKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 90µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4910 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 90µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4910 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

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系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 90µA

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Vgs(最大值): ±20V

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FET 功能: -

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工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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技术: MOSFET(金属氧化物)

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功率耗散(最大值): 150W(Tc)

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技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

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功率耗散(最大值): 150W(Tc)

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安装类型: 通孔

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封装/外壳: TO-220-3

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品牌: Infineon Technologies

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系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 90µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4910 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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国内:1~2 天

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封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 90µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4910 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 90µA

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Vgs(最大值): ±20V

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FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

未分类

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库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tube

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 150W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA

Supplier Device Package: PG-TO220-3

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

IPP072N10N3GXKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: OptiMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2 毫欧 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4910 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)