搜索 IPL60R199CPAUMA1 共 4 条相关记录
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | IPL60R199CPAUMA1 授权代理品牌 | +1： ￥25.17768 +200： ￥20.9814 +500： ￥16.78512 +1000： ￥13.9876 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +3000： ￥37.430359 | |||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥67.964579 +10： ￥61.090448 +100： ￥50.049117 +500： ￥42.606413 +1000： ￥37.430359 | 系列： CoolMOS™ 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： PG-VSON-4 | ||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥67.964579 +10： ￥61.090448 +100： ￥50.049117 +500： ￥42.606413 +1000： ￥37.430359 | 系列： CoolMOS™ 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： PG-VSON-4 |
IPL60R199CPAUMA1参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolMOS™ |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 199 毫欧 9.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V 660µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 32 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1520 pF 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 139W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-VSON-4 |
| 封装/外壳: | 4-PowerTSFN |
| 温度: | -40°C # 150°C（TJ） |