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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.517786 +10：￥5.540106 +30：￥4.562426 +100：￥4.073586 +500：￥3.747733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC 下载数据手册	+1：￥3.901035 +10：￥3.212617 +30：￥2.862945 +100：￥2.524199 +500：￥2.316581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7314TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	"IRF7314TRPBF" 下载数据手册	+1：￥2.775527 +10：￥2.305654 +30：￥2.098036 +100：￥1.846709 +500：￥1.540745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： - 漏源电压(Vdss)： - 连续漏极电流(Id)： - 功率(Pd)： - 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： - 阈值电压(Vgs(th)@Id)： - 栅极电荷(Qg@Vgs)： - 输入电容(Ciss@Vds)： - 反向传输电容(Crss@Vds)： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.49811	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7314TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7314TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+8：￥1.498584 +200：￥1.462065 +500：￥1.401127 +4000：￥1.37671	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7314TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF7314TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.804071 +4000：￥0.789485 +12000：￥0.767552 +32000：￥0.745619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7314TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7314TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.462065 +4000：￥1.401127 +12000：￥1.340191 +16000：￥1.242734	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.083099 +8000：￥1.983868 +12000：￥1.892346 +28000：￥1.888725	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥5.095811 +8000：￥4.853066 +12000：￥4.629179 +28000：￥4.620322	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7314TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	58 毫欧 2.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	780pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）