锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 IPP65R190C6XKSA15 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IPP65R190C6XKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥18.653844

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: CoolMOS™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IPP65R190C6XKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+500:

¥39.155955

库存: 0

货期:7~10 天

系列: CoolMOS™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3

IPP65R190C6XKSA1_未分类
IPP65R190C6XKSA1
授权代理品牌

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3

未分类

+156:

¥26.196086

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 151W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA

Supplier Device Package: PG-TO220-3

Part Status: Not For New Designs

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IPP65R190C6XKSA1_未分类
IPP65R190C6XKSA1
授权代理品牌

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3

未分类

+1:

¥64.520877

+10:

¥55.403796

+100:

¥47.549081

+250:

¥44.743825

+500:

¥40.395679

库存: 0

货期:7~10 天

系列: CoolMOS™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IPP65R190C6XKSA1_未分类
IPP65R190C6XKSA1
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

未分类

+500:

¥33.935137

+1000:

¥33.633604

+2000:

¥33.319505

+2500:

¥33.005407

+3000:

¥32.703874

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IPP65R190C6XKSA1参数规格

属性 参数值
系列: CoolMOS™
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: PG-TO220-3