IPB65R150CFDATMA2厂家价格_数据手册

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Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB65R150CFDATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_LEGACY 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥25.70205	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 900µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2340 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB65R150CFDATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 下载数据手册未分类	+1000：￥36.861149 +2000：￥35.018059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 22.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 150mOhm @ 9.3A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 195.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 900µA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2340 pF @ 100 V
IPB65R150CFDATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥69.76574 +10：￥62.667009 +100：￥51.341612 +500：￥43.706744	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 22.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 150mOhm @ 9.3A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 195.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 900µA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2340 pF @ 100 V
IPB65R150CFDATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥69.76574 +10：￥62.667009 +100：￥51.341612 +500：￥43.706744	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 22.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 150mOhm @ 9.3A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 195.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 900µA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2340 pF @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB65R150CFDATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_LEGACY 下载数据手册未分类	+1：￥67.209043 +10：￥60.378855 +100：￥49.450555 +500：￥42.210557 +1000：￥37.019615	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 900µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2340 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB65R150CFDATMA2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥40.97093 +2000：￥40.945802 +3000：￥40.531194 +4000：￥40.129148 +5000：￥39.727103	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB65R150CFDATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CFD2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 毫欧 9.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	86 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2340 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	195.3W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）