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IGN1011L1200_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

晶体管-FET,MOSFET-射频

+1:

¥11442.637132

+10:

¥11265.182082

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Integra Technologies Inc.

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: HEMT

频率: 1.03GHz # 1.09GHz

增益: 16.8dB

电压 - 测试: 50 V

额定电流(安培): -

噪声系数: -

电流 - 测试: 160 mA

功率 - 输出: 1250W

电压 - 额定: 180 V

封装/外壳: PL84A1

供应商器件封装: PL84A1

温度:

IGN1011L1200参数规格

属性 参数值
品牌: Integra Technologies Inc.
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: HEMT
频率: 1.03GHz # 1.09GHz
增益: 16.8dB
电压 - 测试: 50 V
额定电流(安培): -
噪声系数: -
电流 - 测试: 160 mA
功率 - 输出: 1250W
电压 - 额定: 180 V
封装/外壳: PL84A1
供应商器件封装: PL84A1
温度: