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IRF7509TRPBF_射频晶体管
IRF7509TRPBF
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

射频晶体管

+1:

¥6.8728

+10:

¥5.84188

+30:

¥4.81096

+100:

¥4.2955

+500:

¥3.95186

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 1.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210pF 25V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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IRF7509TRPBF_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

射频晶体管

+1:

¥4.032163

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¥3.289108

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¥2.906654

+100:

¥2.546054

+500:

¥2.327509

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 1.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210pF 25V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF7509TRPBF_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

射频晶体管

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¥2.90521

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 1.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210pF 25V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF7509TRPBF
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¥3.070022

+20:

¥3.018855

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¥2.967687

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¥2.916521

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 1.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210pF 25V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF7509TRPBF
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射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

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系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 1.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210pF 25V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

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+4000:

¥1.76946

+8000:

¥1.676361

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¥1.552191

+28000:

¥1.53683

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 1.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210pF 25V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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+4000:

¥4.328567

+8000:

¥4.100823

+12000:

¥3.79707

+28000:

¥3.759494

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 1.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210pF 25V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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射频晶体管

+1:

¥11.43007

+10:

¥9.872723

+100:

¥6.835182

+500:

¥5.710751

+1000:

¥4.860209

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width)

供应商器件封装: Micro8™

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射频晶体管

+1:

¥11.43007

+10:

¥9.872723

+100:

¥6.835182

+500:

¥5.710751

+1000:

¥4.860209

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width)

供应商器件封装: Micro8™

Mouser
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IRF7509TRPBF_null
IRF7509TRPBF
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+1:

¥12.086316

+10:

¥10.583694

+100:

¥7.464118

+500:

¥6.157488

+1000:

¥5.553173

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 1.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210pF 25V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF7509TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 1.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210pF 25V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
供应商器件封装: Micro8™
温度: -55°C # 150°C(TJ)