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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF9358PBF_未分类
IRF9358PBF
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

自营 国内现货
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IRF9358PBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

Digi-Key
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IRF9358PBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF9358PBF_射频晶体管

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16.3 毫欧 9.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1740pF 25V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IRF9358PBF_未分类
IRF9358PBF
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF9358PBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SO