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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IGP01N120H2XKSA1_晶体管-IGBT

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN

晶体管-IGBT

+549:

¥7.792147

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3.2 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 3.5 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.8V 15V,1A

功率 - 最大值: 28 W

开关能量: 140µJ

输入类型: 标准

栅极电荷: 8.6 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/370ns

测试条件: 800V,1A,241 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3-1

温度: -40°C # 150°C(TJ)

IGP01N120H2XKSA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3

IGP01N120H2XKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件,管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3.2 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 3.5 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.8V 15V,1A
功率 - 最大值: 28 W
开关能量: 140µJ
输入类型: 标准
栅极电荷: 8.6 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/370ns
测试条件: 800V,1A,241 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
温度: -40°C # 150°C(TJ)