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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R280P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.1328 +10：￥12.01288 +30：￥9.89296 +100：￥8.833 +500：￥8.12636	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R280P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.867634 +10：￥6.665635 +30：￥6.009999 +100：￥5.266944 +500：￥4.939126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R280P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R280P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.451201 +10：￥13.835579 +100：￥11.193918 +500：￥9.950255 +1000：￥8.519947	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R280P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥40.243996 +10：￥33.84549 +100：￥27.38329 +500：￥24.34096 +1000：￥20.842047	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R280P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥46.00473 +10：￥38.723405 +25：￥36.572106 +100：￥31.111113 +240：￥29.456266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPW60R280P6FKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P6
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	280 毫欧 5.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 430µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1190 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	104W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）