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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.61499	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥6.937898 +300：￥4.691775 +1000：￥3.444023 +4000：￥2.495625 +8000：￥2.370874	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.703624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.823476 +10：￥4.134342 +30：￥3.617579 +100：￥3.046406 +500：￥2.894063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.969664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7342TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7342TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥3.090511 +4000：￥2.843243 +12000：￥2.719608 +16000：￥2.595974	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.084101 +100：￥3.399945 +500：￥3.129292 +2000：￥2.938052 +4000：￥2.800526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.286236 +10：￥11.910923 +100：￥9.080656 +500：￥7.53441 +1000：￥5.948896	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥4.931891 +8000：￥4.803169 +12000：￥4.717397 +16000：￥4.261167 +20000：￥4.034771	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.954141 +8000：￥2.813491 +12000：￥2.68365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7342TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	690pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）